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兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用hf溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的hf溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：sio2+6hf=h2+sif6+2h2o

由于hf对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的hf溶液，或是添加nh4f作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。nh4f的加入可避免---物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂hf蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(boe:bufferoxideetcher)(体积比6:1之nh4f(40%)与hf(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如bpsg等。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此hf溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。

兴之扬蚀刻不锈钢网片小编来向大家说说电浆干法蚀刻中的基本物理及化学现象：

在干法蚀刻中，随着制程参数及电浆状态的改变，可以区分为两种---的性质的蚀刻方式，即纯物理性蚀刻与纯化学反应性蚀刻。纯物理性蚀刻可视为一种物理溅镀(sputter)方式，它是利用辉光放电，将气体如ar，解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的表面，而将被蚀刻物质原子击出。此过程乃完全利用物理上能量的转移，故谓之物理性蚀刻。其特色为离子撞击拥有---的方向性，可获得接近垂直的蚀刻轮廓。但缺点是由于离子是以撞击的方式达到蚀刻的目的，因此光阻与待蚀刻材料两者将同时遭受蚀刻，造成对屏蔽物质的蚀刻选择比变差，同时蚀刻终点必须---掌控，因为以离子撞击方式蚀刻对于底层物质的选择比很低。且被击出的物质往往非挥发性物质，而这些物质容易再度沉积至被蚀刻物薄膜的表面或侧壁。加上蚀刻效率偏低，因此，以纯物理性蚀刻方式在集成电路制造过程中很少被用到。

纯化学反应性蚀刻，则是利用电浆产生化学活性极强的原(分)子团，此原(分)子团扩散至待蚀刻物质的表面，并与待蚀刻物质反应产生挥发性之反应生成物，并被真空设备抽离反应腔。因此种反应完全利用化学反应来达成，故谓之化学反应性蚀刻。此种蚀刻方式相近于湿式蚀刻，只是反应物及产物的状态由液态改变为气态，并利用电浆来促进蚀刻的速率。因此纯化学反应性蚀刻拥有类似于湿式蚀刻的优点及缺点，即高选择比及等向性蚀刻。在半导体制程中纯化学反应性蚀刻应用的情况通常为不需做图形转换的步骤，如光阻的去除等。